Учебно-методические комплексы

Подробнее

Полупроводниковые диоды: классификация, ВАХ, параметры, критерии работоспособности. Подробно рассмотрены: выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды (ЛПД), светоизлучающие диоды (СИД), фотодиоды.
Транзисторы: биполярные (устройство, принцип действия, токи, схемы включения (ОБ, ОЭ, ОК), статические характеристики, эквивалентная схема, частотные и импульсные свойства, режим ключа, H-параметры); полевые (с управляющим p-n-переходом, МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом, ВАХ, параметры).
Тиристоры: динисторы, тринисторы (ВАХ, параметры).
Электровакуумные приборы: диод, триод, тетрод, пентод (устройство, ВАХ, параметры, междуэлектродные емкости).
Электронно-лучевые приборы: ЭЛТ с электростатическим, электромагнитным и комбинированным управлением (кинескопы), буквенно-цифровые индикаторы (газоразрядные, полупроводниковые, вакуумно-люминесцентные, электролюминесцентные, жидкокристаллические).
Интегральные микросхемы (ИМС): классификация, элементы полупроводниковых ИМС (биполярные, МДП-структуры), гибридные ИМС, функциональная электроника; логические операции и таблицы истинности; характеристики и параметры логических ИМС; инвертор на биполярном транзисторе; базовые элементы различных логик (НСТЛ, РТЛ, РЕТЛ, ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ, КМОП) — достоинства и недостатки.
Прикладные аспекты: усилительные каскады, обратная связь, операционные усилители, компараторы, мультивибраторы, модуляция, ЦАП и АЦП, стабилизаторы напряжения, датчики и линии связи.
✓ Оценочные материалы включают:
Перечень теоретических вопросов (52 вопроса): для проверки знания физических процессов, характеристик, параметров и областей применения электронных приборов и схем.
Типовые задания для практических занятий: приведен пример практической работы по исследованию полупроводникового диода.
Задания для самостоятельной работы (14 работ): включают выбор диодов и транзисторов по исходным данным, изучение пробоя p-n-перехода, определение характеристик транзисторов, изучение областей применения, выполнение доклада по разработке электрических принципиальных схем.
Вопросы к контрольной работе (ДФК) — 24 вопроса: охватывают основные типы приборов, их УГО, принципы действия, схемы включения и применения.
Вопросы к дифференцированному зачету (25 вопросов): углубляют знания по классификации материалов, схемам включения, принципам работы специализированных приборов (диод Шоттки, оптроны, варикапы, стабилизаторы, датчики) и аналоговой/цифровой схемотехнике.
Критерии оценивания: для текущего контроля (устные ответы, практические и самостоятельные работы) и промежуточной аттестации (индивидуальное задание) используется пятибалльная система с четкими дескрипторами («5» — полное и правильное выполнение, «4» — с 2-3 несущественными ошибками, «3» — не менее половины работы верно, «2» — две и более существенные ошибки).
✓ Формируемые компетенции: в документе представлена таблица соответствия между проверяемыми умениями/знаниями и формируемыми общими (ОК 1-9) и профессиональными (ПК 1.3, 3.1) компетенциями, а также обширным перечнем личностных результатов (ЛР 1-8, 13-28). Это позволяет оценивать вклад дисциплины в подготовку техника по специальности.
✓ Информационное обеспечение: приведен список основной и дополнительной литературы (учебники по электронной технике, электронике и микропроцессорной технике) и электронных ресурсов (ZNANIUM.COM, BOOK.RU).
Примечание: Дисциплина имеет фундаментальное значение для подготовки техников по радиоэлектронике, так как формирует глубокое понимание физических основ работы, параметров и применения электронных приборов и схем, что является базой для изучения всех последующих специальных дисциплин. ФОС содержит полный набор материалов для контроля знаний по всему курсу.